Инвентаризация:4689
Ценообразование:
  • 3000 1.07
  • 6000 1.03
  • 9000 1

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Ta), 80A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.9mOhm @ 19A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 86 nC @ 10 V
  • 7082 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


PV JR CIRCUIT BOARD HOLDER HEAD

Инвентаризация: 11

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Инвентаризация: 5396

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Инвентаризация: 19067

Инвентаризация: 0

Инвентаризация: 0

Top