Инвентаризация:23510
Ценообразование:
  • 3000 0.83
  • 6000 0.8
  • 9000 0.77

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta), 26A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 6A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 11 nC @ 10 V
  • 645 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

Инвентаризация: 2786

IC OSC SINGLE TIMER 1MHZ 8-SOIC

Инвентаризация: 12022

TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB

Инвентаризация: 259251

Top