Инвентаризация:22225
Ценообразование:
  • 2500 0.7
  • 5000 0.68
  • 12500 0.66

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.6W
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A
  • Глубина 210pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 2.7A, 10V
  • Тип симистора 4.1nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

Инвентаризация: 0

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100LQFP

Инвентаризация: 9592

Top