Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.6W
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A
• Глубина 302pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 2.7A, 10V
• Тип симистора 5.3nC @ 10V
• Барьерный тип 2.2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC