- Modèle de produit FDC658AP
- Marque Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Description MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
- Classification Transistors uniques FET, MOSFET
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Inventaire:4883
Prix:
- 3000 0.2
- 6000 0.19
- 9000 0.18
- 30000 0.17
Détails techniques
- Type de montage SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis -55°C ~ 150°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts P-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 4A (Ta)
- Résistance à 25°C 50mOhm @ 4A, 10V
- Matériau de la virole 1.6W (Ta)
- Type de barrière 3V @ 250µA
- Tension alternative maximale SuperSOT™-6
- Longueur de la ceinture 4.5V, 10V
- Quantité d'étape ±25V
- 30 V
- 8.1 nC @ 5 V
- 470 pF @ 15 V