- Modèle de produit FDS4435BZ
- Marque Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Description MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
- Classification Transistors uniques FET, MOSFET
-
PDF
Inventaire:21624
Prix:
- 2500 0.26
- 5000 0.25
- 12500 0.23
- 25000 0.23
Détails techniques
- Type de montage 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis -55°C ~ 150°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts P-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 8.8A (Ta)
- Résistance à 25°C 20mOhm @ 8.8A, 10V
- Matériau de la virole 2.5W (Ta)
- Type de barrière 3V @ 250µA
- Tension alternative maximale 8-SOIC
- Longueur de la ceinture 4.5V, 10V
- Quantité d'étape ±25V
- 30 V
- 40 nC @ 10 V
- 1845 pF @ 15 V