- Модель продукта STP8N120K5
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
- Классификация Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
- 1 6.68
- 50 5.34
- 100 4.77
- 500 4.21
- 1000 3.79
- 2000 3.55
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2Ohm @ 2.5A, 10V
- Материал феррулы 130W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 1200 V
- 13.7 nC @ 10 V
- 505 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Инвентаризация: 38523
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
Инвентаризация: 610
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Инвентаризация: 1261
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Инвентаризация: 597
