- Модель продукта IRF640NPBF
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
- Классификация Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
- 1 1.17
- 50 0.94
- 100 0.75
- 500 0.63
- 1000 0.52
- 2000 0.49
- 5000 0.46
- 10000 0.44
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 150mOhm @ 11A, 10V
- Материал феррулы 150W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 67 nC @ 10 V
- 1160 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Инвентаризация: 19183
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 4483
Инвентаризация: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 3574
Инвентаризация: 0
