- Модель продукта EMD3T2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Классификация Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
-
PDF
Инвентаризация:8500
Ценообразование:
- 8000 0.1
- 16000 0.09
- 24000 0.09
- 56000 0.08
Технические детали
- Тип монтажа SOT-563, SOT-666
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Смываемый 150mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 50V
- Толщина ленты 300mV @ 500µA, 10mA
- Входной логический уровень - Низкий 500nA
- Входной логический уровень - Высокий 30 @ 5mA, 5V
- Тип диода 250MHz
- Длина рукоятки 10kOhms
- Включенные пакеты 10kOhms
- Максимальное переменное напряжение EMT6
Сопутствующие товары
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Инвентаризация: 42690
