- Модель продукта IPD320N20N3GATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- Классификация Несекретно
-
PDF
Инвентаризация:5186
Ценообразование:
- 2500 1.52
- 5000 1.46
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 34A, 10V
- Материал феррулы 136W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 90µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 29 nC @ 10 V
- 2350 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
Инвентаризация: 19183
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 4483
Инвентаризация: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 3574
Инвентаризация: 0
