Инвентаризация:7261
Ценообразование:
  • 3000 0.42
  • 6000 0.4
  • 9000 0.39

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A, 26A
  • Глубина 820pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 13nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A 8DFN

Инвентаризация: 5696

MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 7062

Top