Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric ME
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 217A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 1.2mOhm @ 132A, 10V
• Материал феррулы 96W (Tc)
• Барьерный тип 3.9V @ 150µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric ME
• Длина ремня 6V, 10V
• Шаг Количество ±20V
• 40 V
• 185 nC @ 10 V
• 6680 pF @ 25 V