- Модель продукта SSM6L09FUTE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
- Классификация FET, массивы MOSFET
-
PDF
Инвентаризация:36543
Ценообразование:
- 3000 0.1
- 6000 0.1
- 9000 0.09
- 30000 0.09
- 75000 0.07
Технические детали
- Тип монтажа 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 300mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 400mA, 200mA
- Глубина 20pF @ 5V
- Сопротивление при 25°C 700mOhm @ 200MA, 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.8V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение US6
Сопутствующие товары
BATTERY SPRING
Инвентаризация: 765
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Инвентаризация: 114001
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Инвентаризация: 19164
