Инвентаризация:9390
Ценообразование:
  • 3000 0.9
  • 6000 0.86
  • 9000 0.84

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.9W (Ta), 16W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A (Ta)
  • Глубина 1635pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 8.2A, 10V
  • Тип симистора 24nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-Power33 (3x3)

Сопутствующие товары


Инвентаризация: 0

IC VREF SERIES 0.1% 8SOIC

Инвентаризация: 1939

MOSFET 50V 0.51A SOT23-6

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8

Инвентаризация: 0

Top