Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.5W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6A, 4.2A
• Глубина 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
• Тип симистора 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO