- Модель продукта FDMS3660S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
- Классификация Несекретно
-
PDF
- 3000 0.91
- 6000 0.87
- 9000 0.85
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A, 60A
- Глубина 1765pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 13A, 10V
- Тип симистора 29nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.7V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение Power56
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
Инвентаризация: 7062
IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5
Инвентаризация: 13971
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 6WDFN
Инвентаризация: 5732
TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
Инвентаризация: 26768
