Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerLDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 6W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 20A
• Глубина 900pF @ 15V
• Тип симистора 5.8nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-LSON (3.3x3.3)