Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 P-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.1W
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 4A
• Глубина 665pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
• Тип симистора 26nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 1.4V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC