Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.7W
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A
• Глубина 840pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 5.3A, 10V
• Тип симистора 25nC @ 10V
• Тип подключения Logic Level Gate
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC