Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 3.25W
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 19.8A
• Глубина 2110pF @ 10V
• Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 10A, 10V
• Тип симистора 45nC @ 10V
• Барьерный тип 2.4V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SOIC