- Модель продукта IRF7907TRPBF
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
- Классификация FET, массивы MOSFET
-
PDF
Инвентаризация:10648
Ценообразование:
- 4000 0.48
- 8000 0.45
- 12000 0.43
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.1A, 11A
- Глубина 850pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 16.4mOhm @ 9.1A, 10V
- Тип симистора 10nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.35V @ 25µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
Сопутствующие товары
Инвентаризация: 0
Инвентаризация: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 4483
Инвентаризация: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Инвентаризация: 3574
Инвентаризация: 0
