Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerWDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
• Глубина 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
• Тип симистора 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
• Барьерный тип 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
• Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)