Инвентаризация:65675
Ценообразование:
  • 3000 0.35
  • 6000 0.33
  • 9000 0.32
  • 30000 0.32

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.1A
  • Глубина 1250pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 7.1A, 10V
  • Тип симистора 19nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 19946

Инвентаризация: 0

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

Инвентаризация: 97435

TVS DIODE 3.6VWM 6.8VC 2X1SON

Инвентаризация: 23786

Инвентаризация: 0

Top