Инвентаризация:4358
Ценообразование:
  • 3000 0.45
  • 6000 0.42
  • 15000 0.41

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.9W (Ta), 22W (Tc), 3.4W (Ta), 33W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17.5A (Ta), 32A (Tc), 24A (Ta), 32A (Tc)
  • Глубина 920pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 6.1mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 20nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 7062

Top