Технические детали

• Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 4.1W (Ta), 24W (Tc), 4.4W (Ta), 73W (Tc)
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 27A (Ta), 66A (Tc), 57A (Ta), 233A (Tc)
• Глубина 1220pF @ 15V, 6260pF @ 15V
• Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 20A, 10V, 800µOhm @ 20A, 10V
• Тип симистора 26nC @ 10V, 123nC @ 10V
• Барьерный тип 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)