Инвентаризация:18092
Ценообразование:
  • 2500 0.59
  • 5000 0.56
  • 12500 0.53

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.7W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A
  • Глубина 840pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 5.3A, 10V
  • Тип симистора 25nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


Инвентаризация: 0

DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD123F

Инвентаризация: 2000

Инвентаризация: 0

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 365488

Инвентаризация: 0

Top