Инвентаризация:5844
Ценообразование:
  • 2500 2.24

Технические детали

  • Тип монтажа 12-WQFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Диаметр - Внутренний 8V ~ 12.6V
  • 1-й разъем Количество позиций Inverting, Non-Inverting
  • Стандартный зарядный ток 125 V
  • Максимальное переменное напряжение 12-TQFN (4x4)
  • Выходная сигнализация 65ns, 65ns
  • Диапазон давления Independent
  • Лошадиная сила Half-Bridge
  • Воздушный поток - Высокий 2
  • Воздушный поток - Среда N-Channel MOSFET
  • Воздушный поток - Низкий 0.8V, 2V
  • Давление (PSИ) 2A, 2A
  • Not Verified

Сопутствующие товары


IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12TQFN

Инвентаризация: 208

Top