- Модель продукта FDD6612A
- Бренд Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Классификация Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:263753
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A (Ta), 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 9.5A, 10V
- Материал феррулы 2.8W (Ta), 36W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252 (DPAK)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 9.4 nC @ 5 V
- 660 pF @ 15 V