- Модель продукта NE3512S02-T1D-A
- Бренд Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET HFET 2V S02
- Классификация RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15541
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, Flat Leads
- Толщина контактного покрытия 70mA
- Индуктивность 12GHz
- Площадь (Д x Ш) 13.5dB
- Функция - Освещение HFET
- Глубина (дюймы) 0.35dB
- Максимальное переменное напряжение S02
- Длина ножки 4 V
- 2 V
- 10 mA