- Модель продукта US1J-E3/61T
- Бренд Vishay General Semiconductor – Diodes Division
- RoHS Yes
- Описание DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Классификация Несекретно
-
PDF
- 1800 0.11
- 3600 0.1
- 5400 0.1
- 9000 0.09
- 45000 0.08
- 90000 0.08
Технические детали
- Тип монтажа DO-214AC, SMA
- Количество витков Surface Mount
- Частота - Собственный резонанс Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип Подшипника 75 ns
- Функция - Освещение Standard
- Подложка, Носитель 10pF @ 4V, 1MHz
- 输入 - 侧面1/侧面2 1A
- Максимальное переменное напряжение DO-214AC (SMA)
- Диаметр пучка -55°C ~ 150°C
- Плоскостность (Лямбда) 600 V
- 1.7 V @ 1 A
- 10 µA @ 600 V
Сопутствующие товары
DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
Инвентаризация: 6024059
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Инвентаризация: 516160
Инвентаризация: 0
SENSOR CURRENT HALL 10A AC/DC
Инвентаризация: 8380
Инвентаризация: 0
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323
Инвентаризация: 1003148
Инвентаризация: 0
DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
Инвентаризация: 0
DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
Инвентаризация: 38523
