Инвентаризация:1500
Ценообразование:
  • 2500 0.31
  • 5000 0.29
  • 12500 0.27
  • 25000 0.27

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A
  • Глубина 121pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 1A, 10V
  • Тип симистора 4.5nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC

Сопутствующие товары


BATTERY SPRING

Инвентаризация: 765

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

Инвентаризация: 14437

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

Инвентаризация: 95869

Инвентаризация: 0

Top