- 제품 모델 CSD19538Q2
- 브랜드 Texas Instruments
- RoHS Yes
- 설명 MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
- 분류 단일 FET, MOSFET
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PDF
재고:31991
가격:
- 3000 0.18
- 6000 0.17
- 9000 0.16
- 30000 0.15
기술적 세부 사항
- 장착 유형 6-WDFN Exposed Pad
- 턴 수 Surface Mount
- 토크 - 나사 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 기능 - 조명 MOSFET (Metal Oxide)
- 외부 접점 마감 N-Channel
- 외부 접점 마감 두께 14.4A (Ta)
- 저항 @ 25°C 59mOhm @ 5A, 10V
- 페룰 재질 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
- 배리어 타입 3.8V @ 250µA
- 최대 교류 전압 6-WSON (2x2)
- 벨트 길이 6V, 10V
- 스텝 수량 ±20V
- 100 V
- 5.6 nC @ 10 V
- 454 pF @ 50 V