- 제품 모델 SSM6L09FUTE85LF
- 브랜드 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- 설명 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
- 분류 FET, MOSFET 어레이
-
PDF
재고:36543
가격:
- 3000 0.1
- 6000 0.1
- 9000 0.09
- 30000 0.09
- 75000 0.07
기술적 세부 사항
- 장착 유형 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 턴 수 Surface Mount
- 속도 N and P-Channel
- 토크 - 나사 150°C (TJ)
- 기능 - 조명 MOSFET (Metal Oxide)
- 세탁 가능 300mW
- 내부 접점 마감 처리 30V
- 외부 접점 마감 두께 400mA, 200mA
- 깊이 20pF @ 5V
- 저항 @ 25°C 700mOhm @ 200MA, 10V
- 연결 타입 Logic Level Gate
- 배리어 타입 1.8V @ 100µA
- 최대 교류 전압 US6
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