기술적 세부 사항

• 장착 유형 4-SSIP Module
• 고장률 Bidirectional
• 리드 스타일 10mV/mT
• 턴 수 Through Hole
• 갱 수 Ratiometric, Voltage
• 인덕턴스 DC ~ 250kHz
• 토크 - 나사 -40°C ~ 150°C
• 직경 - 내부 4.5V ~ 5.5V
• 슈라우딩 2µs
• 콘택트 길이 - 포스트 Hall Effect
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic ±0.2%
• 광속 @ 전류/온도 DC
• 소프트웨어 15mA
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