- 제품 모델 FDD6612A
- 브랜드 Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- 설명 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- 분류 단일 FET, MOSFET
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재고:263753
기술적 세부 사항
- 장착 유형 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 턴 수 Surface Mount
- 토크 - 나사 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 기능 - 조명 MOSFET (Metal Oxide)
- 외부 접점 마감 N-Channel
- 외부 접점 마감 두께 9.5A (Ta), 30A (Tc)
- 저항 @ 25°C 20mOhm @ 9.5A, 10V
- 페룰 재질 2.8W (Ta), 36W (Tc)
- 배리어 타입 3V @ 250µA
- 최대 교류 전압 TO-252 (DPAK)
- 벨트 길이 4.5V, 10V
- 스텝 수량 ±20V
- 30 V
- 9.4 nC @ 5 V
- 660 pF @ 15 V