기술적 세부 사항

• 장착 유형 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 턴 수 Surface Mount
• 속도 2 P-Channel (Dual)
• 토크 - 나사 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 기능 - 조명 MOSFET (Metal Oxide)
• 세탁 가능 900mW
• 내부 접점 마감 처리 30V
• 외부 접점 마감 두께 6.9A
• 깊이 1360pF @ 15V
• 저항 @ 25°C 22mOhm @ 6.9A, 10V
• 트라이액 타입 40nC @ 10V
• 연결 타입 Logic Level Gate
• 배리어 타입 3V @ 250µA
• 최대 교류 전압 8-SOIC