- 제품 모델 NE3512S02-T1D-A
- 브랜드 Intersil (Renesas Electronics Corporation)
- RoHS Yes
- 설명 RF MOSFET HFET 2V S02
- 분류 RF FET, MOSFET
-
PDF
재고:15541
기술적 세부 사항
- 장착 유형 4-SMD, Flat Leads
- 접점 마감 두께 70mA
- 인덕턴스 12GHz
- 면적 (L x W) 13.5dB
- 기능 - 조명 HFET
- 깊이(인치) 0.35dB
- 최대 교류 전압 S02
- 다리 길이 4 V
- 2 V
- 10 mA