技術的な詳細

• 実装タイプ 56-VFQFN Exposed Pad
• 巻数 Surface Mount
• 速度 6 N and 6 P-Channel
• トルク - スクリュー -55°C ~ 150°C (TJ)
• 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
• 内部接触仕上げ 200V
• 深度 50pF @ 25V
• 抵抗値 @ 25°C 8Ohm @ 1A, 10V
• バリアタイプ 2.4V @ 1mA
• 最大AC電圧 56-QFN (8x8)