技術的な詳細

• 実装タイプ 8-PowerTDFN
• 巻数 Surface Mount
• 速度 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• トルク - スクリュー -55°C ~ 150°C (TJ)
• 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
• ウォッシャブル 1W
• 内部接触仕上げ 30V
• 外部接点仕上げ厚さ 30A, 60A
• 深度 1765pF @ 15V
• 抵抗値 @ 25°C 8mOhm @ 13A, 10V
• トライアックタイプ 29nC @ 10V
• 接続タイプ Logic Level Gate
• バリアタイプ 2.7V @ 250µA
• 最大AC電圧 Power56