技術的な詳細

• 実装タイプ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 巻数 Surface Mount
• 速度 N and P-Channel
• トルク - スクリュー -55°C ~ 150°C (TJ)
• 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
• ウォッシャブル 900mW
• 内部接触仕上げ 30V
• 外部接点仕上げ厚さ 6.4A, 4.5A
• 深度 540pF @ 15V
• 抵抗値 @ 25°C 26mOhm @ 6.4A, 10V
• トライアックタイプ 12nC @ 10V
• 接続タイプ Logic Level Gate
• バリアタイプ 3V @ 250µA
• 最大AC電圧 8-SOIC