技術的な詳細

• 実装タイプ 8-VDFN Exposed Pad
• 巻数 Surface Mount
• 速度 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• トルク - スクリュー -55°C ~ 150°C (TJ)
• 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
• ウォッシャブル 4.1W (Ta), 24W (Tc), 4.4W (Ta), 73W (Tc)
• 内部接触仕上げ 30V
• 外部接点仕上げ厚さ 27A (Ta), 66A (Tc), 57A (Ta), 233A (Tc)
• 深度 1220pF @ 15V, 6260pF @ 15V
• 抵抗値 @ 25°C 3.5mOhm @ 20A, 10V, 800µOhm @ 20A, 10V
• トライアックタイプ 26nC @ 10V, 123nC @ 10V
• バリアタイプ 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• 最大AC電圧 8-DFN (5x6)