- 製品型番 FDD6612A
- ブランド Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- 説明 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- 分類 シングルFET、MOSFET
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在庫:263753
技術的な詳細
- 実装タイプ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 巻数 Surface Mount
- トルク - スクリュー -55°C ~ 175°C (TJ)
- 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部接点仕上げ N-Channel
- 外部接点仕上げ厚さ 9.5A (Ta), 30A (Tc)
- 抵抗値 @ 25°C 20mOhm @ 9.5A, 10V
- フェルール材料 2.8W (Ta), 36W (Tc)
- バリアタイプ 3V @ 250µA
- 最大AC電圧 TO-252 (DPAK)
- ベルト長さ 4.5V, 10V
- ステップ数量 ±20V
- 30 V
- 9.4 nC @ 5 V
- 660 pF @ 15 V