技術的な詳細

• 実装タイプ 6-VDFN Exposed Pad
• 巻数 Surface Mount
• 速度 N and P-Channel
• トルク - スクリュー -55°C ~ 150°C (TJ)
• 機能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
• ウォッシャブル 700mW
• 内部接触仕上げ 20V
• 外部接点仕上げ厚さ 3.7A, 3.1A
• 深度 340pF @ 10V
• 抵抗値 @ 25°C 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
• トライアックタイプ 6nC @ 4.5V
• 接続タイプ Logic Level Gate
• バリアタイプ 1.5V @ 250µA
• 最大AC電圧 6-MicroFET (2x2)