- Modèle de produit RQ3E100BNTB
- Marque ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Description MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
- Classification Non classifié
-
PDF
Inventaire:84587
Prix:
- 3000 0.14
- 6000 0.13
- 9000 0.12
- 30000 0.12
- 75000 0.12
Détails techniques
- Type de montage 8-PowerVDFN
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis 150°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts N-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 10A (Ta)
- Résistance à 25°C 10.4mOhm @ 10A, 10V
- Matériau de la virole 2W (Ta)
- Type de barrière 2.5V @ 1mA
- Tension alternative maximale 8-HSMT (3.2x3)
- Longueur de la ceinture 4.5V, 10V
- Quantité d'étape ±20V
- 30 V
- 22 nC @ 10 V
- 1100 pF @ 15 V