- Modèle de produit FDMS86105
- Marque Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Description MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
- Classification Transistors uniques FET, MOSFET
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Inventaire:23510
Prix:
- 3000 0.83
- 6000 0.8
- 9000 0.77
Détails techniques
- Type de montage 8-PowerTDFN
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis -55°C ~ 150°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts N-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 6A (Ta), 26A (Tc)
- Résistance à 25°C 34mOhm @ 6A, 10V
- Matériau de la virole 2.5W (Ta), 48W (Tc)
- Type de barrière 4V @ 250µA
- Tension alternative maximale 8-PQFN (5x6)
- Longueur de la ceinture 6V, 10V
- Quantité d'étape ±20V
- 100 V
- 11 nC @ 10 V
- 645 pF @ 50 V