- Modèle de produit NVMFS3D0P04M8LT1G
- Marque Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Description MV8 P INITIAL PROGRAM
- Classification Transistors uniques FET, MOSFET
-
PDF
Inventaire:4187
Prix:
- 1500 1.34
- 3000 1.28
- 7500 1.23
Détails techniques
- Type de montage 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis -55°C ~ 175°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts P-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 28A (Ta), 183A (Tc)
- Résistance à 25°C 2.7mOhm @ 30A,10V
- Matériau de la virole 3.9W (Ta), 171W (Tc)
- Type de barrière 2.4V @ 2mA
- Tension alternative maximale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Diamètre - Épaulement Automotive
- Longueur de la ceinture 4.5V, 10V
- Quantité d'étape ±20V
- 40 V
- 124 nC @ 10 V
- 5827 pF @ 20 V
- AEC-Q101