- Modèle de produit FDD6612A
- Marque Fairchild Semiconductor
- RoHS No
- Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Classification Transistors uniques FET, MOSFET
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Inventaire:263753
Détails techniques
- Type de montage TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Nombre de Tours Surface Mount
- Couple de serrage - Vis -55°C ~ 175°C (TJ)
- Fonction - Éclairage MOSFET (Metal Oxide)
- Finition extérieure des contacts N-Channel
- Épaisseur de finition de contact extérieur 9.5A (Ta), 30A (Tc)
- Résistance à 25°C 20mOhm @ 9.5A, 10V
- Matériau de la virole 2.8W (Ta), 36W (Tc)
- Type de barrière 3V @ 250µA
- Tension alternative maximale TO-252 (DPAK)
- Longueur de la ceinture 4.5V, 10V
- Quantité d'étape ±20V
- 30 V
- 9.4 nC @ 5 V
- 660 pF @ 15 V