- نموذج المنتج IRF640NPBF
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:63003
التسعير:
- 1 1.17
- 50 0.94
- 100 0.75
- 500 0.63
- 1000 0.52
- 2000 0.49
- 5000 0.46
- 10000 0.44
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-220-3
- عدد اللفات Through Hole
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 175°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 18A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 150mOhm @ 11A, 10V
- مادة الحلقة 150W (Tc)
- نوع الحاجز 4V @ 250µA
- أقصى فولتية تيار متردد TO-220AB
- طول الحزام 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 200 V
- 67 nC @ 10 V
- 1160 pF @ 25 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
المخزون: 19183
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
المخزون: 4483
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
