- نموذج المنتج IPD80R600P7ATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:6250
التسعير:
- 2500 0.7
- 5000 0.68
- 12500 0.65
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 8A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 600mOhm @ 3.4A, 10V
- مادة الحلقة 60W (Tc)
- نوع الحاجز 3.5V @ 170µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TO252-3
- طول الحزام 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 800 V
- 20 nC @ 10 V
- 570 pF @ 500 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
المخزون: 10656
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
