- نموذج المنتج IPD60R180P7ATMA1
- العلامة التجارية IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- الوصف MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
- تصنيف ترانزستورات FET الفردية، ترانزستورات MOSFET
-
PDF
المخزون:6296
التسعير:
- 2500 1.01
- 5000 0.97
التفاصيل الفنية
- نوع التثبيت TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- عدد اللفات Surface Mount
- عزم الدوران - برغي -55°C ~ 150°C (TJ)
- وظيفة - الإضاءة MOSFET (Metal Oxide)
- تشطيب جهة الاتصال الخارجية N-Channel
- سماكة التشطيب الخارجي للاتصال 18A (Tc)
- المقاومة عند 25 درجة مئوية 180mOhm @ 5.6A, 10V
- مادة الحلقة 72W (Tc)
- نوع الحاجز 4V @ 280µA
- أقصى فولتية تيار متردد PG-TO252-3
- طول الحزام 10V
- كمية الخطوة ±20V
- 600 V
- 25 nC @ 10 V
- 1081 pF @ 400 V
المنتجات ذات الصلة
المخزون: 0
المخزون: 0
المخزون: 0
المخزون: 0
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
المخزون: 3574
المخزون: 0
